W978H6KBVX1I TR
Winbond Electronics
Deutsch
Artikelnummer: | W978H6KBVX1I TR |
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Hersteller / Marke: | Winbond Electronics Corporation |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3500+ | $4.365 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B |
Supplier Device-Gehäuse | 134-VFBGA (10x11.5) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 134-VFBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 256Mbit |
Speicherorganisation | 16M x 16 |
Speicherschnittstelle | HSUL_12 |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 533 MHz |
Grundproduktnummer | W978H6 |
Zugriffszeit | 5.5 ns |
IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 168WFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 168WFBGA
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() W978H6KBVX1I TRWinbond Electronics |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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